FDMS86150详细
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
FDMS86150参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.85 毫欧 @ 16A, 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):62nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4065pF @ 50V,功率 - 最大值:2.7W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-PowerTDFN,供应商器件封装:Power56